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NXP Semiconductors
PESD15VS1ULD
Unidirectional ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff
-
-
15
V
voltage
I RM
reverse leakage current V RWM = 15 V
-
<1
50
nA
V BR
C d
breakdown voltage
diode capacitance
I R = 5 mA
f = 1 MHz; V R = 0 V
17.6
-
18
32
18.4
70
V
pF
V CL
clamping voltage
[1][2]
I PP = 1 A
I PP = 5 A
-
-
-
-
23
40
V
V
r dyn
dynamic resistance
I R = 10 A
[3]
-
0.6
-
Ω
[1]
[2]
[3]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 2.
Non-repetitive current pulse, Transmission Line Pulse (TLP) t p = 100 ns; square pulse;
ANS/IESD STM5-1-2008.
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
001aaa726
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
t p ( μ s)
10 3
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 4.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 5.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
PESD15VS1ULD
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 May 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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